IRG4PC60UPBF Technische Spezifikationen

IRG4PC60UPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 520W
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Test Condition 480V, 40A, 5 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 460 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Switching Energy 280μJ (on), 1.1mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Length 15.875mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 520W
Current Rating 75A
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 39 ns
Rise Time 42ns
Turn-Off Delay Time 200 ns
Max Collector Current 75A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Gate Charge 310nC
Td (on/off) @ 25°C 39ns/200ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 20.701mm
Width 5.3086mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG4P254S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 14214
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IRG4PC20FD IR Spezialisierte heiße ICs 7600
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