IRG4PH40KDPBF Technische Spezifikationen

IRG4PH40KDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 160W
Current Rating 30A
Number of Elements 1
Power Dissipation 160W
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3.4V
Reverse Recovery Time 63 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 3.4V
Test Condition 800V, 15A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 730 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 1.31mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 3V
Length 15.875mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 1.2kV
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 50 ns
Rise Time 31ns
Turn-Off Delay Time 96 ns
Max Collector Current 30A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A
Gate Charge 94nC
Td (on/off) @ 25°C 50ns/96ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 20.3mm
Width 5.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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