IRG4PSC71UDPBF Technische Spezifikationen

IRG4PSC71UDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1999
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 85A
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 90 ns
Rise Time 94ns
Turn-Off Delay Time 245 ns
Max Collector Current 85A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 179 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Continuous Collector Current 85A
Gate Charge 340nC
Td (on/off) @ 25°C 90ns/245ns
Height 24.8mm
Width 5.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-274AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Max Power Dissipation 350W
Number of Elements 1
Power Dissipation 350W
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 82 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.95V
Test Condition 480V, 60A, 5 Ω, 15V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Turn Off Time-Nom (toff) 503 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 3.26mJ (on), 2.27mJ (off)
Length 16.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG4P254S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 14214
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