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IRG4RC10STRRPBF Technische Spezifikationen

IGBT 600V 14A 38W DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 38W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.8V
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 14A
Max Breakdown Voltage 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Switching Energy 140μJ (on), 2.58mJ (off)
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRG4RC10SPBF
Power Dissipation 38W
Power - Max 38W
Max Collector Current 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Test Condition 480V, 8A, 100Ohm, 15V
Gate Charge 15nC
Td (on/off) @ 25°C 25ns/630ns
Radiation Hardening No
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG4RC10K International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 6845
IRG4RC10K Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG4RC10KD International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 3302
IRG4RC10KD Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG4RC10KD MOS IR Spezialisierte heiße ICs 510
IRG4RC10KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2795
IRG4RC10KDPBF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG4RC10KDTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2723
IRG4RC10KDTRPBF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG4RC10KDTRPBF Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs

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