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IRG5K150HF12B Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 300A POWIR 62

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case POWIR® 62 Module
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Configuration Half Bridge
Input Standard
Max Collector Current 300A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Input Capacitance 19nF
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 1.06kW
Power - Max 1060W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.6V
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 150A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 19nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IRG5K100HF12A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2722
IRG5K100HF12A Infineon Technologies IGBT-Module
IRG5K100HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2567
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IRG5K150HF12B Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRG5K150HF12B Referenzpreis. IRG5K150HF12B Parameter, IRG5K150HF12B Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRG5K150HF12B Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRG5K150HF12B Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRG5K150HF12B Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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