IRG7CH35UEF Technische Spezifikationen

IRG7CH35UEF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case Die
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Obsolete
Input Type Standard
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge 85nC
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 30ns/160ns
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG7CH11K10EF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2755
IRG7CH11K10EF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG7CH20K10EF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2626
IRG7CH20K10EF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG7CH23K10EF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2629
IRG7CH23K10EF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG7CH28UED International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2631
IRG7CH28UED Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG7CH28UEF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2690
IRG7CH28UEF Infineon Technologies Einzelne IGBTs

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