IRG7CH73UEF-R Technische Spezifikationen

IRG7CH73UEF-R datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case Die
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
Gate Charge 540nC
Gate-Emitter Voltage-Max 30V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Obsolete
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Test Condition 600V, 75A, 5 Ω, 15V
Collector Current-Max (IC) 75A
Td (on/off) @ 25°C 90ns/580ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG7CH11K10EF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2755
IRG7CH11K10EF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG7CH20K10EF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2626
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IRG7CH23K10EF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2629
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IRG7CH28UED International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2631
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