IRG7PH35UD1PBF Technische Spezifikationen

IRG7PH35UD1PBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Base Part Number IRG7PH35
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
JEDEC-95 Code TO-247AC
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Test Condition 600V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 400 ns
Gate Charge 85nC
Td (on/off) @ 25°C -/160ns
Gate-Emitter Voltage-Max 30V
Fall Time-Max (tf) 105ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 179W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power Dissipation-Max (Abs) 179W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 620μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG7P313U IR Spezialisierte heiße ICs 2638
IRG7PA19U-203P IR Spezialisierte heiße ICs 1131
IRG7PC50SD IR Spezialisierte heiße ICs 54
IRG7PC50SD-R IR Spezialisierte heiße ICs 474
IRG7PC50U-RD IR Spezialisierte heiße ICs 12
IRG7PG35U-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2550
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