IRG7PH44K10DPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 70ns
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 70A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2.4V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
Fall Time-Max (tf) 115ns
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 320W
Element Configuration Single
Power - Max 320W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Reverse Recovery Time 130 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 25A, 10 Ω, 15V
Gate Charge 200nC
Td (on/off) @ 25°C 75ns/315ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Height 20.7mm
Width 5.31mm
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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