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IRG7PSH54K10DPBF
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IRG7PSH54K10DPBF Technische Spezifikationen
IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 19 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 247 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Rise Time-Max | 105ns |
Input Type | Standard |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.4V |
Reverse Recovery Time | 170 ns |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.4V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Switching Energy | 4.8mJ (on), 2.8mJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 7.5V |
Radiation Hardening | No |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 38.000013g |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 520W |
Element Configuration | Single |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 65A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Current - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Test Condition | 600V, 50A, 5 Ω, 15V |
Gate Charge | 435nC |
Td (on/off) @ 25°C | 110ns/490ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 30V |
Fall Time-Max (tf) | 90ns |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRG7PSH54K10DPBF Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IRG7P" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRG7P'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRG7P313U | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2638 |
IRG7PA19U-203P | IR | Spezialisierte heiße ICs | 1131 |
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