IRG7PSH54K10DPBF Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 120A 520W TO274AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 247
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 105ns
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Reverse Recovery Time 170 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 2.4V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 520W
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 65A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Test Condition 600V, 50A, 5 Ω, 15V
Gate Charge 435nC
Td (on/off) @ 25°C 110ns/490ns
Gate-Emitter Voltage-Max 30V
Fall Time-Max (tf) 90ns
RoHS Status RoHS Compliant
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