IRG7T75HF12A Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 150A POWIR 34

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case POWIR® 34 Module
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Configuration Half Bridge
Input Standard
Max Collector Current 150A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Input Capacitance 10.4nF
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 450W
Power - Max 450W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 10.4nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG7T100HF12A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2582
IRG7T100HF12A Infineon Technologies IGBT-Module
IRG7T100HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2625
IRG7T100HF12B Infineon Technologies IGBT-Module
IRG7T150CH12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2503
IRG7T150CH12B Infineon Technologies IGBT-Module
IRG7T150CL12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2604
IRG7T150CL12B Infineon Technologies IGBT-Module
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IRG7T150HF12B Infineon Technologies IGBT-Module

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