IRG7U100HF12B Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 200A POWIR 62

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case POWIR® 62 Module
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Configuration Half Bridge
Input Standard
Max Collector Current 200A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Input Capacitance 12.5nF
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 580W
Power - Max 580W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.5nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG7U100HF12A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2504
IRG7U100HF12A Infineon Technologies IGBT-Module
IRG7U100HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2632
IRG7U150HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2505
IRG7U150HF12B Infineon Technologies IGBT-Module
IRG7U200HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2750
IRG7U200HF12B Infineon Technologies IGBT-Module
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