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IRGBC30F Technische Spezifikationen

IRGBC30F datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1996
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
JEDEC-95 Code TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 31A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 17A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature FAST
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 100W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power Dissipation-Max (Abs) 100W
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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  • Datenblätter

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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRGBC20F IR Spezialisierte heiße ICs 7200
IRGBC20F2D IR Spezialisierte heiße ICs 905
IRGBC20FD2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 1400
IRGBC20FD2 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRGBC20K-S IR Spezialisierte heiße ICs 5800
IRGBC20K-SPBF IR Spezialisierte heiße ICs 992
IRGBC20KD2 IR Spezialisierte heiße ICs 517
IRGBC20KD2-S IR Spezialisierte heiße ICs 272
IRGBC20M IR Spezialisierte heiße ICs 7200
IRGBC20MD2 IR Spezialisierte heiße ICs 7200

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