IRGC75B120UB Technische Spezifikationen

IGBT CHIP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 75A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code O-XUUC-N
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
IGBT Type NPT
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRGC75B60KB Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRGC75B60UB Infineon Technologies Einzelne IGBTs

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