IRGIB15B60KD1P Technische Spezifikationen

IRGIB15B60KD1P datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 52W
Number of Elements 1
Power Dissipation 52W
Input Type Standard
Rise Time 35ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Reverse Recovery Time 67 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 38A
Switching Energy 127μJ (on), 334μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
Length 10.63mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.299997g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 12A
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Transistor Application MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 19A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Test Condition 400V, 15A, 22 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 250 ns
Gate Charge 56nC
Td (on/off) @ 25°C 30ns/173ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 16.12mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRGIB10B60KD IR Spezialisierte heiße ICs 2677
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