IRGP6640DPBF Technische Spezifikationen

IRGP6640DPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 200W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.95V
Reverse Recovery Time 70 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A
Current - Collector Pulsed (Icm) 72A
Switching Energy 300μJ (on), 840μJ (off)
Length 15.87mm
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 200W
Max Collector Current 53A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 24A, 10 Ω, 15V
Gate Charge 50nC
Td (on/off) @ 25°C 40ns/100ns
Height 20.7mm
Width 5.31mm
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRGP6630D-E IR Spezialisierte heiße ICs 11
IRGP6630D-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2509
IRGP6630D-EPBF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRGP6630D-EPBF Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
IRGP6630DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 507
IRGP6630DPBF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRGP6640D-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2561
IRGP6640D-EPBF Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRGP6640D-EPBF Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
IRGP6640DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2578

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