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IRGR3B60KD2PBF Technische Spezifikationen

IGBT 600V 7.8A 52W DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Rise Time-Max 22ns
Power Dissipation 52W
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Reverse Recovery Time 77 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 15.6A
Switching Energy 62μJ (on), 39μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
Height 1.2446mm
Width 6.223mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 350.003213mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Max Power Dissipation 52W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number IRGR3B60KD2PBF
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 7.8A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Collector Emitter Saturation Voltage 2.4V
Test Condition 400V, 3A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 211 ns
Gate Charge 13nC
Td (on/off) @ 25°C 18ns/110ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 105ns
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
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IRGR3B60KD2 IR Spezialisierte heiße ICs 5164
IRGR3B60KD2 IGBT IR Spezialisierte heiße ICs 2244
IRGR3B60KD2 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 50390
IRGR3B60KD2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 5226
IRGR3B60KD2TR IR Spezialisierte heiße ICs 2627
IRGR3B60KD2TRLP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 1720
IRGR3B60KD2TRLP Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRGR3B60KD2TRLP Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
IRGR3B60KD2TRP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 32363
IRGR3B60KD2TRP Infineon Technologies Einzelne IGBTs

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