IRGS15B60KDTRRP Technische Spezifikationen

IGBT 600V 31A 208W D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 208W
Element Configuration Single
Power - Max 208W
Max Collector Current 31A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 15A, 22 Ω, 15V
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 62A
Switching Energy 220μJ (on), 340μJ (off)
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 260.39037mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Base Part Number IRGS15B60KDPBF
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Reverse Recovery Time 92 ns
Max Breakdown Voltage 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Gate Charge 56nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/184ns
Radiation Hardening No
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IRGS10B60KD IR Spezialisierte heiße ICs 2711
IRGS10B60KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 12568
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