IRGSL6B60KDPBF Technische Spezifikationen

IRGSL6B60KDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Voltage - Rated DC 600V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 13A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 26A
Switching Energy 110μJ (on), 135μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
Height 9.652mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 90W
Current Rating 13A
Number of Elements 1
Power Dissipation 90W
Input Type Standard
Rise Time 17ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Reverse Recovery Time 70 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Test Condition 400V, 5A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 258 ns
Gate Charge 18.2nC
Td (on/off) @ 25°C 25ns/215ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 27ns
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRGSL10B60KD IR Spezialisierte heiße ICs 20000
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