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IRL2703PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 24A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 30V
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 45W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Dual Supply Voltage 30V
Recovery Time 97 ns
Height 8.77mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 40MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 24A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 45W
Turn On Delay Time 8.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Tc
Rise Time 140ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Threshold Voltage 1V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 96A
Avalanche Energy Rating (Eas) 77 mJ
Nominal Vgs 1 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRL2703 IR Spezialisierte heiße ICs 35896
IRL2703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1387
IRL2703PBF IC IR Spezialisierte heiße ICs 1438
IRL2703S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10888
IRL2703S IC IR Spezialisierte heiße ICs 2579
IRL2703SPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 682
IRL2703STRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 52358
IRL2703STRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
IRL2703STRR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37363
IRL2705 IR Spezialisierte heiße ICs 8675

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