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IRL60SL216 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 195A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 375W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 195A
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRL60B216 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5212
IRL60B216 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRL60HS118 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2693
IRL60HS118 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRL60S216 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2621
IRL60S216 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRL60SC216 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 4016
IRL60SL216 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2520

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