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IRL8113STRLPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 110W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 105A Tc
Rise Time 38ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.006Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 420A
Height 4.699mm
Width 9.65mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 110W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6m Ω @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 105A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 42A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 220 mJ
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRL8113 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50266
IRL8113L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32365
IRL8113LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 40510
IRL8113PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 42120
IRL8113PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRL8113PBF MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5464
IRL8113PBF MOSFETIGBTIC IR Spezialisierte heiße ICs 1198
IRL8113PBF. IR Spezialisierte heiße ICs 32422
IRL8113S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 29500
IRL8113S MOS IR Spezialisierte heiße ICs 733

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