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IRL8114PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2015
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 115W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 90A
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRL8113 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50266
IRL8113L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32365
IRL8113LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 40510
IRL8113PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 42120
IRL8113PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRL8113PBF MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5464
IRL8113PBF MOSFETIGBTIC IR Spezialisierte heiße ICs 1198
IRL8113PBF. IR Spezialisierte heiße ICs 32422
IRL8113S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 29500
IRL8113S MOS IR Spezialisierte heiße ICs 733

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