IRLHS6376TR2PBF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Published 2009
Part Status Obsolete
Resistance 63MOhm
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRLHS6376
Power Dissipation 6.6W
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Threshold Voltage 800mV
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Recovery Time 12 ns
Drain to Source Resistance 63mOhm
Nominal Vgs 800 mV
Length 2.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 1.5W
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 4.4 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A
Rise Time 11ns
Fall Time (Typ) 9.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 270pF
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 63 mΩ
Height 950μm
Width 2.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRLHS2242TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 943
IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRLHS2242TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2258
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IRLHS2242TRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 590
IRLHS2242TRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 9806
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IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRLHS6242TRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 1049

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