IRLMS6702TRPBF Technische Spezifikationen

IRLMS6702TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.7W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200m Ω @ 1.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Threshold Voltage -700mV
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Length 2.9972mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 200mOhm
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Current Rating -2.3A
Power Dissipation-Max 1.7W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A Ta
Rise Time 20ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.7V 4.5V
Fall Time (Typ) 18 ns
Continuous Drain Current (ID) -2.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Height 1.4478mm
Width 1.75mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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