IRLR9343TRPBF Technische Spezifikationen

IRLR9343TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 79W
Turn On Delay Time 9.5 ns
Transistor Application AMPLIFIER
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Rise Time 24ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 9.5 ns
Continuous Drain Current (ID) -20A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 93MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 79W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 21 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage -55V
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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