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IRLZ24NSTRLPBF Technische Spezifikationen

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.06Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 45W; VGS +/-16V; Qg 15

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1996
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 60mOhm
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 45W
Turn On Delay Time 7.1 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Tc
Rise Time 74ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Dual Supply Voltage 55V
Recovery Time 90 ns
Height 4.699mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 17A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 45W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 29 ns
Reverse Recovery Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72A
Avalanche Energy Rating (Eas) 68 mJ
Nominal Vgs 2 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRLZ24 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 29947
IRLZ24 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 29947
IRLZ24A FSC Spezialisierte heiße ICs 5360
IRLZ24L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2624
IRLZ24L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2684
IRLZ24LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3200
IRLZ24LPBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3200
IRLZ24N IR Spezialisierte heiße ICs 5488
IRLZ24N MOS IR Spezialisierte heiße ICs 567
IRLZ24NL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2766

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