IRLZ44ZSTRLPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 80W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A Tc
Rise Time 160ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Dual Supply Voltage 55V
Recovery Time 32 ns
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 13.5mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 51A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 80W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5m Ω @ 31A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 42 ns
Continuous Drain Current (ID) 51A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 204A
Avalanche Energy Rating (Eas) 78 mJ
Nominal Vgs 3 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRLZ40 VB Spezialisierte heiße ICs 5000
IRLZ44 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18878
IRLZ44 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18937
IRLZ44A IR Spezialisierte heiße ICs 10319
IRLZ44L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2539
IRLZ44L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2796
IRLZ44N IR Spezialisierte heiße ICs 1356
IRLZ44N MOS IR Spezialisierte heiße ICs 276
IRLZ44NL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2746
IRLZ44NLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2720

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