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PTFA091201HL V1 Technische Spezifikationen

IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Published 2008
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Subcategory FET General Purpose Power
Frequency 960MHz
Operating Temperature (Max) 150°C
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 18.5dB
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test 28V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Packaging Tray
Part Status Obsolete
Voltage - Rated 65V
Current Rating (Amps) 10μA
Base Part Number PTFA091201
Configuration Single
Current - Test 750mA
Transistor Type LDMOS
Power - Output 110W
Power Dissipation-Max (Abs) 625W
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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PTFA091201HL V1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, PTFA091201HL V1 Referenzpreis. PTFA091201HL V1 Parameter, PTFA091201HL V1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PTFA091201HL V1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PTFA091201HL V1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PTFA091201HL V1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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