PTFA192001EV4R250XTMA1 Technische Spezifikationen

IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Current Rating 10μA
Base Part Number PTFA192001
Operating Temperature (Max) 200°C
Configuration SINGLE
Case Connection SOURCE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 15.9dB
Power - Output 50W
Voltage - Test 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Voltage - Rated 65V
Reach Compliance Code unknown
Frequency 1.99GHz
JESD-30 Code R-CDFM-F2
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Current - Test 1.8A
Transistor Type LDMOS
DS Breakdown Voltage-Min 65V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
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PTFA142401ELV4R250XTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 2616
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