PTFB191501EV1XWSA1 Technische Spezifikationen

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36248 Tray

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads
Transistor Element Material SILICON
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Voltage - Rated 65V
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 2
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Current - Test 1.2A
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 18dB
Power - Output 150W
Voltage - Test 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HGH RELIABILITY
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Frequency 1.99GHz
Base Part Number PTFB191501
JESD-30 Code R-XDFM-F2
Operating Temperature (Max) 200°C
Configuration SINGLE
Case Connection SOURCE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type LDMOS
DS Breakdown Voltage-Min 65V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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