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SIGC25T60UNX7SA1 Technische Spezifikationen

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die
Part Status Last Time Buy
Input Type Standard
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 16ns/122ns
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIGC25T60NCX1SA2 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
SIGC25T60NCX1SA4 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
SIGC25T60NCX1SA5 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
SIGC25T60NCX1SA6 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
SIGC25T60NCX1SA7 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
SIGC25T60NCX7SA1 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
SIGC25T60NCX7SA2 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
SIGC25T60SNCX1SA1 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
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