SKB06N60HSATMA1 Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 68W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 12A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 6A, 50 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 245 ns
Gate Charge 33nC
Td (on/off) @ 25°C 11ns/196ns
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 68W
Base Part Number *KB06N60
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 100 ns
Turn On Time 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 6A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
Switching Energy 190μJ
RoHS Status RoHS Compliant
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SKB06N60 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 878
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