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SPB17N80C3ATMA1
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SPB17N80C3ATMA1 Technische Spezifikationen
SPB17N80C3ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 227W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.29Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 800V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290m Ω @ 11A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 17A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 51A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 670 mJ |
SPB17N80C3ATMA1 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für SPB17N80C3ATMA1
-
Datenblätter
Andere schließen ein "SPB17" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'SPB17'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SPB17N80C | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 8248 |
SPB17N80C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1353 |
SPB17N80C3 | Infineon | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SPB17N80C3 17N80C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 695 |
SPB17N80C3 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 11450 |
SPB17N80C3ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1484 |
SPB17N80C3ATMA1 17N80C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 341 |
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SPB17N80C3ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, SPB17N80C3ATMA1 Referenzpreis. SPB17N80C3ATMA1 Parameter, SPB17N80C3ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SPB17N80C3ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SPB17N80C3ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SPB17N80C3ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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