T1601N32TOFXPSA2 Technische Spezifikationen

SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Thyristor-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~125°C
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 3.2kV
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 350mA
Current - On State (It (RMS)) (Max) 29900A
Current - On State (It (AV)) (Max) 1900A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case DO-200AE
Packaging Tray
Part Status Obsolete
Halogen Free Halogen Free
Voltage - Off State 3600V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max) 350mA
Structure Single
Number of SCRs, Diodes 1 SCR
Lead Free Lead Free
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T1601N04TOF EUPEC IGBT-Module 2611
T1601N12TOF EUPEC IGBT-Module 2798
T1601N14TOF EUPEC IGBT-Module 2700
T1601N16TOF EUPEC IGBT-Module 2768
T1601N18TOF EUPEC IGBT-Module 2562
T1601N20TOF EUPEC IGBT-Module 2681
T1601N22TOF EUPEC IGBT-Module 2799
T1601N28TOF IGBT Module IGBT-Module 2622
T1601N30TOF EUPEC IGBT-Module 2554
T1601N32TOF IGBT Module IGBT-Module 2755

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