BSM50GP120 Technische Spezifikationen

IGBT Modules 1200V 50A PIM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Published 2003
Number of Terminations 35
Max Operating Temperature 125°C
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code unknown
Pin Count 35
Number of Elements 7
Power Dissipation-Max 360W
Case Connection ISOLATED
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.6kV
Turn On Time 105 ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 17mm
Width 62mm
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Number of Pins 3
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -40°C
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration COMPLEX
Power Dissipation 360W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Saturation Voltage 2.5V
Turn Off Time-Nom (toff) 430 ns
VCEsat-Max 2.55 V
Length 122mm
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM500GA120DN2 EUPEC IGBT-Module 2799
BSM500GA124D EUPEC IGBT-Module 2645
BSM50GAL100D SIEMENS IGBT-Module 2848
BSM50GAL120D IGBT IGBT-Module 2766
BSM50GAL120DN2 IGBT Module IGBT-Module 2887
BSM50GAL120DN2HOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2544
BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
BSM50GAL124D EUPEC Spezialisierte heiße ICs 2836
BSM50GAL60DLC EUPEC IGBT-Module 2510
BSM50GAR120DN2 EUPEC IGBT-Module 2821

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