FD800R33KF2C-K Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Surface Mount NO
Pbfree Code no
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -40°C
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 9
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 9600W
Collector Current-Max (IC) 1300A
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Number of Pins 190
Number of Terminations 7
Max Operating Temperature 125°C
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3.3kV
Turn On Time 480 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1900 ns
VCEsat-Max 4.25 V
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FD8000008 Diodes Incorporated Oszillatoren 2555
FD800R17HP4-K_B2 IGBT Module IGBT-Module 2643
FD800R17HP4KB2BOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 0
FD800R17HP4KB2BOSA2 Infineon Technologies IGBT-Module
FD800R17KE3-B2 IGBT Module IGBT-Module 2745
FD800R17KE3B2NOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2764
FD800R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FD800R17KE3_B2 IGBT Module IGBT-Module 2972
FD800R17KF6-B2 EUPEC IGBT-Module 2752
FD800R17KF6B2 EUPEC IGBT-Module 2722

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