IPA90R500C3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Surface Mount NO
Published 2008
Part Status Active
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -55°C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 34W
Turn On Delay Time 70 ns
Halogen Free Halogen Free
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On Max 500 mΩ
Capacitance - Input 1.7nF
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Pbfree Code yes
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory FET General Purpose Power
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 34W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Rise Time 20ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 400 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 900V
Dual Supply Voltage 900V
Drain to Source Resistance 500mOhm
Nominal Vgs 3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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