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INN040W048A Technische Spezifikationen

Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-mobility-transistor(HEMT) based on advanced low voltage BiGaN Technology with ultra-low on resistance. 1.1 Featu

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / LV GaN HEMT
Manufacturer Innoscience
Factory Lead Time 3 Weeks
Configuration Bidirection
VDS max (V) 40
RDS(on) max (mΩ) 4.8
Qoss (nC) 12.2
IDPuls max (A) 100
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package WLCSP 2.1X2.1
RDS(on)_typ (mΩ) 4
QG (nC) 15.8
ID max (A) 20
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
INN040FQ012A Innoscience LV GaN HEMT
INN040FQ015A Innoscience LV GaN HEMT
INN040FQ043A Innoscience LV GaN HEMT
INN040W080A Innoscience LV GaN HEMT
INN040W120A Innoscience LV GaN HEMT

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INN040W048A Markenhersteller: Innoscience, Bonchip Aktie, INN040W048A Referenzpreis. INN040W048A Parameter, INN040W048A Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden INN040W048A Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden INN040W048A Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, INN040W048A Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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