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BCR 162 B6327
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BCR 162 B6327 Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | PG-SOT23-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BCR 101L3 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2668 |
BCR 101L3 E6327 | Infineon Technologies | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
BCR 101T E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2762 |
BCR 101T E6327 | Infineon Technologies | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
BCR 103F E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2788 |
BCR 103F E6327 | Infineon Technologies | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
BCR 103L3 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2699 |
BCR 103L3 E6327 | Infineon Technologies | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
BCR 103T E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2711 |
BCR 103T E6327 | Infineon Technologies | Vorbelastete BJT-Transistoren |
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