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BCR198WH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 250mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 190MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package PG-SOT323-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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BCR191E Infineon Spezialisierte heiße ICs 595
BCR191E6327 INFIN Spezialisierte heiße ICs 9000
BCR191E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 9230
BCR191E6327HTSA1 Infineon Technologies Vorbelastete BJT-Transistoren
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BCR198WH6327XTSA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, BCR198WH6327XTSA1 Referenzpreis. BCR198WH6327XTSA1 Parameter, BCR198WH6327XTSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BCR198WH6327XTSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BCR198WH6327XTSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BCR198WH6327XTSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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