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BFS 386L6 E6327 Technische Spezifikationen
TRANSISTOR ARRAY DUAL NPN TSLP-6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Supplier Device Package | PG-TSLP-6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 14GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA, 80mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Power - Max | 210mW, 380mW |
Package / Case | 6-XFDFN |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
Gain | 10dB ~ 14.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BFS 360L6 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - HF | 2676 |
BFS 360L6 E6327 | Infineon Technologies | RF-BJT-Transistoren | |
BFS 380L6 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - Bipolar (BJT) - HF | 2605 |
BFS 380L6 E6327 | Infineon Technologies | RF-BJT-Transistoren | |
BFS 386L6 E6327 | Infineon Technologies | RF-BJT-Transistoren |
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