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BSB013NE2LXI Technische Spezifikationen
BSB013NE2LXI Infineon Technologies
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
Package / Case | 3-WDSON |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 12V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 163A (Tc) |
BSB013NE2LXI Unterlagen
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'BSB01'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BSB012N03LX3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2677 |
BSB012NE2LX | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2778 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
BSB012NE2LX5G | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 2604 |
BSB012NE2LXI | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 35319 |
BSB012NE2LXI IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2201 |
BSB012NE2LXIXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2652 |
BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
BSB013NE2LXIXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2519 |
BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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Prototyping-Zubehör
BSB013NE2LXI Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, BSB013NE2LXI Referenzpreis. BSB013NE2LXI Parameter, BSB013NE2LXI Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSB013NE2LXI Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSB013NE2LXI Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSB013NE2LXI Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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