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BSB044N08NN3 G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 97µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Package / Case 3-WDSON
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 90A (Tc)
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BSB044N08NN3 G Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, BSB044N08NN3 G Referenzpreis. BSB044N08NN3 G Parameter, BSB044N08NN3 G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSB044N08NN3 G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSB044N08NN3 G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSB044N08NN3 G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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