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BSC009NE2LSATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 25V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSC009NE2LS BSC009NE2LS-ND BSC009NE2LSATMA1TR BSC009NE2LSTR-ND SP000893362
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A (Ta), 100A (Tc)
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BSC009NE2LSATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, BSC009NE2LSATMA1 Referenzpreis. BSC009NE2LSATMA1 Parameter, BSC009NE2LSATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSC009NE2LSATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSC009NE2LSATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSC009NE2LSATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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