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BSC110N06NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 23µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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BSC110N06NS3 G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 5010
BSC110N06NS3 G 110N06NS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 476
BSC110N06NS3 G MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5488
BSC110N06NS3G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 27911
BSC110N06NS3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 323
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
BSC110N06NSG International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 98
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BSC110N15NS5 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 137988

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