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BSC150N03LDGATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series OptiMOS™
Power - Max 26W
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PG-TDSON-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSC150N03LD G BSC150N03LD G-ND BSC150N03LD GTR BSC150N03LD GTR-ND BSC150N03LDG BSC150N03LDGATMA1TR SP000359362
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8 Dual
Base Part Number BSC150N03
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BSC1501N03NS3G INFINEON Spezialisierte heiße ICs 5590
BSC150N03LD Original Spezialisierte heiße ICs 30376
BSC150N03LD G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 8458
BSC150N03LDG INFINEO Spezialisierte heiße ICs 30354
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
BSC152N10NSF G VB Spezialisierte heiße ICs 3000
BSC152N10NSFG INFINEON Spezialisierte heiße ICs 646
BSC152N10NSFGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2769
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