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BSC16DN25NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 32µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 250V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names BSC16DN25NS3GATMA1CT BSC16DN25NS3GCT BSC16DN25NS3GCT-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.9A (Tc)
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