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BSD840N L6327 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 750mV @ 1.6µA
Series OptiMOS™
Power - Max 500mW
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.26nC @ 2.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 880mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 880mA, 2.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSD840N I Spezialisierte heiße ICs 15963
BSD840N H6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 154045
BSD840N H6327 IC International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 3345
BSD840N L6327 Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
BSD840NH6327 Son Spezialisierte heiße ICs 628
BSD840NH6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2638
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays

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