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BSM100GB120DN2HOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 800W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
Power - Max 800W
Other Names BSM100GB120DN2 SP000100720
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Configuration Half Bridge
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM100D12PIC003 ROHM IGBT-Module 2618
BSM100GA120DN11 EUPEC IGBT-Module 2702
BSM100GA120DN2 EUPEC IGBT-Module 2676
BSM100GAL100D EUPEC IGBT-Module 2785
BSM100GAL120D EUPEC IGBT-Module 2817
BSM100GAL120DLC EUPEC IGBT-Module 2563
BSM100GAL120DLCK Infineon IGBT-Module 2730
BSM100GAL120DLCKHOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 0
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
BSM100GAL120DN2 EUPEC IGBT-Module 2800

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BSM100GB120DN2HOSA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, BSM100GB120DN2HOSA1 Referenzpreis. BSM100GB120DN2HOSA1 Parameter, BSM100GB120DN2HOSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSM100GB120DN2HOSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSM100GB120DN2HOSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSM100GB120DN2HOSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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